(1)ATE測(cè)試機(jī)：測(cè)試環(huán)節(jié)有設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造、封裝測(cè)試，測(cè)試對(duì)象有電壓、電流、時(shí)間、溫度、電阻、電容、頻率、脈寬、占空比等，主要技術(shù)壁壘有集成電路參數(shù)項(xiàng)目越來(lái)越多，精度越來(lái)越高，響應(yīng)速度越來(lái)越快，并且具備通用化軟件開(kāi)發(fā)平臺(tái)，結(jié)合大數(shù)據(jù)應(yīng)用，下游廠商有封測(cè)廠、Fabless廠、晶圓廠

(2)分選機(jī)：測(cè)試環(huán)節(jié)是設(shè)計(jì)驗(yàn)證、封裝測(cè)試，測(cè)試對(duì)象是將檢測(cè)的集成電路逐個(gè)自動(dòng)傳至測(cè)試工位，進(jìn)行標(biāo)記、分選、收料或編帶，主要技術(shù)壁壘是對(duì)自動(dòng)化高速重復(fù)定位控制能力和測(cè)壓精度要求較高，達(dá)到0.01mm，設(shè)備要求穩(wěn)定性強(qiáng)，具備快速切換能力，抗干擾能力強(qiáng);下游廠商有封測(cè)廠、Fabless廠、晶圓廠

(3)探針臺(tái)：測(cè)試環(huán)節(jié)是設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造;測(cè)試對(duì)象是對(duì)測(cè)試臺(tái)測(cè)試的芯片打點(diǎn)標(biāo)記，形成map圖;主要技術(shù)壁壘有精度要求苛刻(0.001mm級(jí)別)，對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性要求極高，需要具備視覺(jué)精密控測(cè)量和定位系統(tǒng)，對(duì)系統(tǒng)算法提出很高要求，工作環(huán)節(jié)必須潔凈度極高，下游廠商有封測(cè)廠、Fabless廠、晶圓廠。

2 測(cè)試機(jī)的種類

(1)模擬測(cè)試機(jī)：分為分立器件測(cè)試機(jī)、模擬測(cè)試機(jī)、數(shù)模混合測(cè)試機(jī)，主要參數(shù)有速度5-10MHz，向量深度8-16MV，調(diào)試工具1-3種，協(xié)議1-2種，并測(cè)幾十到幾百引腳

(2)SOC測(cè)試機(jī)：測(cè)試對(duì)象是微處理器/邏輯芯片/通信芯片等純數(shù)字或數(shù)模混合/數(shù)字射頻混合芯片、CPU、GPU、ASIC、DSP、MCU、CIS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片、高端AD/DA芯片、射頻芯片等，主要參數(shù)是速度100MHz-1.6GHz、向量深度256-512MV、調(diào)試工具5-10種、協(xié)議100余種、并測(cè)幾百到幾千引腳，技術(shù)難度在總體測(cè)試要求非常高，且要求高并測(cè)，故對(duì)其軟硬件系統(tǒng)的復(fù)雜度&技術(shù)要求極高，需持續(xù)研發(fā)以適應(yīng)不斷迭代的高端芯片&新的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議

(3)存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)：測(cè)試對(duì)象是存儲(chǔ)器、DRAM、NAND Flash等存儲(chǔ)芯，主要參數(shù)是速度200MHz-6GHz、向量深度256-512MV、調(diào)試工具2-3種、協(xié)議2-3余種、并測(cè)幾百上萬(wàn)個(gè)引腳，主要技術(shù)難度在DRAM/NAND測(cè)試對(duì)測(cè)試機(jī)要求非常高，對(duì)新的DRAM標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)支持研發(fā)投入大，技術(shù)難度大，同測(cè)數(shù)量要求可達(dá)1024DUT，系統(tǒng)昂貴

(4)射頻(RF)測(cè)試機(jī)：測(cè)試對(duì)象是PA/FEM/射頻開(kāi)關(guān)、射頻芯片，主要參數(shù)是速度50MHz、向量深度8-16MV、調(diào)試工具近10種、協(xié)議近20種、并測(cè)幾十到上百個(gè)引腳，技術(shù)難點(diǎn)在射頻板卡VST TX/RX需支持最新協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，核心頻射板卡研發(fā)難度非常大。